“现代的光刻技术分成几个步骤，首先是气相成底膜，就是硅片在清洗、烘培后首先通过浸泡、喷雾或化学气相沉积等工艺。

然后是旋转涂胶，是形成底膜后，要在硅片表面均匀覆盖光刻胶，此时硅片被放置在真空吸盘上，吸盘底部与转动电机相连，当硅片静止或旋转的非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上，随后加速硅片旋转到一定的转速，光刻胶借助离心作用伸展到整个硅片表面，并持续旋转甩去多余的光刻胶，在硅片上得到