常工作。

其实在7制程时，量子隧穿效应已有一定机率出现了，只是通过特殊的新结构（如“f”和“”）来解决罢了，但这样的结果就功耗加大，芯片发热量增加。

而且这样的新结构到了1时，因为量子隧穿效应的发生率太高而失效，能耗与发热量都超过了可以接受的范围。

当然，理论是不断地进化的，据说b与三星在不久前就声称研究出了所谓的“vtft技术”，即“垂直传输场应晶体管技术”，以垂直